在供電設(shè)備應(yīng)用中，PMOS管常常作開(kāi)關(guān)使用，當(dāng)負(fù)載的容性負(fù)載較大時(shí)，PMOS管在開(kāi)通的瞬間，會(huì)造成前級(jí)電源電壓跌落。這是為什么呢？
在開(kāi)通瞬間前級(jí)電源電壓跌落，這是因?yàn)殚_(kāi)關(guān)速度過(guò)快，mos 管開(kāi)啟瞬間充電電流引起。解決這個(gè)問(wèn)題的關(guān)鍵在于，降低大容量電容的充電速度。
例如有的電路的后級(jí)電源，有很多電路在同時(shí)使用，這時(shí)會(huì)接了許多濾波電容，導(dǎo)致總電容量很大。當(dāng)電源突然接通時(shí)，需要對(duì)這些電容進(jìn)行充電，電容量較大。
由于一開(kāi)始需要的電流很大，前級(jí)來(lái)不及提供，最終導(dǎo)致電源被拉下。
那么，我們?cè)撊绾谓档痛笕萘侩娙荩苊膺@種情況呢？
我們主要圍繞三種措施進(jìn)行展開(kāi)（但不限于）：
一、串聯(lián)電阻
PMOS與電容之間，電容上面，或者在PMOS之前進(jìn)行串聯(lián)電阻，本質(zhì)上都可以降低前級(jí)電源對(duì)電容的充電電流。
對(duì)于串聯(lián)電阻，我們?cè)诖酥疤岬胶芏啻危芙档碗娙莸某潆娝俣龋⑶医档拖鄳?yīng)的負(fù)載能力。不過(guò)在PMOS之前串聯(lián)電阻要注意，串聯(lián)電阻的大小，需要以最大負(fù)載電流與PMOS的最大電流得出的平均值來(lái)定。
二、增加電源電容
柵極與源極之間，或者柵極與漏極之間并聯(lián)電容。能夠降低PMOS的開(kāi)通速度，這是利用控制PMOS的溝道寬度，來(lái)間接控制電容的充電電流。
此外，也可以選擇在前級(jí)電源輸入處，增加適當(dāng)大小的電容，對(duì)電源的波動(dòng)進(jìn)行緩沖和抑制，減小電源跌落的幅度。
三、增加電源電壓穩(wěn)壓器或者跟隨器
面對(duì)負(fù)載突然增大的情況，穩(wěn)壓器可以保證電壓輸出的穩(wěn)定，而跟隨器可以通過(guò)負(fù)反饋的方式，進(jìn)行自動(dòng)調(diào)整輸出電壓。
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